MOS ICs & Technology for Android APK
| Typ pliku | APK |
|---|---|
| Wersja | 5.3 |
| Wydawca | Two Minds Technology |
| Data wydania | 11 maj 2017 |
| Data dodania | 11 maj 2017 |
| Wymagania systemu operacyjnego | Android |
| Wymagania | None |
| Całkowita liczba pobrań | 0 |
| Cena £ | Free |
Opis
Uwagi dotyczące układów scalonych MOS (układ scalony) i technologii ułatwiających naukę i szybką naukę. Ta aplikacja jest właściwie BEZPŁATNYM podręcznikiem, który obejmuje wszystkie tematy na ten temat. Możesz uznać tę aplikację za notatki, którymi profesorowie prowadzą w klasie.
Możesz bardzo łatwo zdać i odnieść sukces na egzaminach i rozmowach kwalifikacyjnych, jeśli masz tę aplikację w telefonie komórkowym i daj przegląd na kilka dni.
Obejmuje szczegółowo 114 tematów układów scalonych i technologii Mos. Te 114 tematów podzielono na 8 jednostek
Niektóre z tematów poruszanych w tej aplikacji to:
1. Prawo Moore'a.
2. Porównanie dostępnych technologii
3. Podstawowe tranzystory MOS
4. Tryb wzmocnienia Działanie tranzystora:
5. Produkcja NMOS:
6. Produkcja CMOS- PROCES P-WELL
7. Produkcja CMOS-N-WELL PROCES:
8. Proces produkcji CMOS-Twin-tub
9. Technologia Bi-CMOS: - (Bipolar CMOS):
10. Produkcja masek e-beam
11. Wprowadzenie do tranzystora MOS
12. Związek między Vgs i Id dla stałego Vds
13. Równania MOS (Podstawowe równania DC):
14. Efekty drugiego rzędu
15. CHARAKTERYSTYKA INWETERA CMOS
16. Charakterystyka falownika prądu stałego
17. Graficzne wyprowadzenie charakterystyk falownika DC
18. Margines hałasu
19. Inwertery MOS z obciążeniem statycznym
20. Bramki transmisyjne
21. Falownik trójstanowy
22. Diagramy Stick-Kodowanie dla procesu NMOS
23. Kodowanie dla procesu CMOS
24. Kodowanie dla BJT i MOSFET
25. Styl projektowania NMOS i CMOS
26. Zasady projektowania
27. Via
28. Zasady projektowania oparte na lambda CMOS
29. Proces Orbit 2um CMOS
30. Ocena odporności.
31. Rezystancja powierzchniowa tranzystorów mos
32. Oszacowanie pojemności
33. Opóźnienie
34. Opóźnienia falownika
35. Formalne oszacowanie opóźnienia
36. Prowadzenie dużego obciążenia pojemnościowego
37. Optymalna wartość f
38. Super bufor
39. Kierowcy Bicmos
40. Opóźnienie propagacji
41. Inne źródła pojemności
42. Wybór warstw
43. Skalowanie urządzeń mos
44. Podstawowy projekt fizyczny – przegląd
45. Podstawowy projekt fizyczny – przegląd
46. Schemat i układ podstawowych bramek-Inverter Gate
47. Schemat i układ podstawowych bramek-NAND i NOR Gate
48. Bramka transmisji
49. Standardowa konstrukcja komórki CMOS
50. Optymalizacja układu pod kątem wydajności
51. Ogólne wytyczne dotyczące układu
52. Logika BICMOS
53. Pseudo logika NMOS
54. Inne odmiany pseudonmosu – logika wieloodpływowa i logika Ganged
55. Inne odmiany pseudonmos- Dynamiczna logika cmos
56. Inne odmiany pseudonmos- CLOCKED CMOS LOGIC (C2MOS)
57. Logika domina CMOS